BUK6Y24-40P P溝道增強型MOSFET采用溝槽MOSFET技術，封裝于LFPAK56（功率SO8）表面貼裝器件（SMD）塑料封裝中。

BUK6Y24-40P依據(jù)AEC-Q101標準設計并通過認證，適用于高性能汽車應用，例如反向電池保護。

BUK6Y24-40P 參數(shù)

制造商: Nexperia

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: LFPAK-56-4

晶體管極性: P-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 39 A

Rds On-漏源導通電阻: 24 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 23 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 66 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 450 ns

正向跨導 - 最小值: 14 S

產品類型: MOSFETs

上升時間: 25 ns

晶體管類型: 1 P-Channel

典型關閉延遲時間: 50 ns

典型接通延遲時間: 7 ns

BUK6Y24-40P 特性

較高的熱功率耗散能力

額定溫度為+175 °C，適用于高溫的嚴苛環(huán)境

溝槽式 MOSFET 技術

符合 AEC-Q101

LFPAK56（Power SO8）SMD塑料封裝

BUK6Y24-40P應用

反向電池保護

電源管理

高側負載開關

電機驅動器

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