商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:ST
年份:25+
封裝:PowerFLAT? 5x6
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:15000 件

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這款STL135N8F7AG N 溝道功率 MOSFET 采用 STripFET? F7 技術(shù),具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu),導(dǎo)通電阻極低,同時(shí)還能降低內(nèi)部電容和柵極電荷,從而實(shí)現(xiàn)更快、更高效的開關(guān)。
STL135N8F7AG 特性
專為汽車應(yīng)用和通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證
是市場(chǎng)上 RDS(導(dǎo)通)最低的器件之一
極佳的 FoM(優(yōu)點(diǎn)系數(shù))
抗電磁干擾的低 Crss/Ciss 比率
高雪崩堅(jiān)固性
可潤(rùn)濕側(cè)面封裝
STL135N8F7AG 技術(shù)參數(shù)
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 80 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :130A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 3.6 毫歐 @ 13A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 103 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):6800 pF @ 40 V
功率耗散(最大值): 4.8W(Ta),135W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí): 汽車級(jí)
資質(zhì): AEC-Q101
安裝類型: 表面貼裝,可潤(rùn)濕側(cè)翼
供應(yīng)商器件封裝: PowerFlat?(5x6)
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
STL135N8F7AG 應(yīng)用
開關(guān)應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

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