AIMDQ75R060M2H是（Infineon）推出的 CoolSiC? 系列汽車級碳化硅MOSFET ，屬于750V第二代產(chǎn)品，采用Q-DPAK頂側散熱封裝。以下是其核心參數(shù)與適用場景：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：840 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：56 毫歐 @ 13.8A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 3mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：20 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：716 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：128W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-HDSOP-22

應用場景

AIMDQ75R060M2H適用于高壓直流轉換器、車載充電器、電路斷路器及高功率電子設備等領域，可提升系統(tǒng)效率并降低整體功耗。 ?

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